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電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢(shì)

加入收藏   打印文章   發(fā)布日期:2021-09-11 作者:四方電子
 

模塊化,按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié),用rtv、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料,密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi),并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。 自從模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域以來(lái),已開發(fā)和生產(chǎn)出多種內(nèi)部電路相聯(lián)接形式的電力半導(dǎo)體模塊,諸如雙向晶閘管、電力mosfet以及絕緣柵雙極型晶閘管(igbt)等模塊,使得模塊技術(shù)得以更快的發(fā)展。 伴隨著mos結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件研發(fā)成功,人們把器件芯片與控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路組合起來(lái),密封裝在同一絕緣外殼內(nèi)稱之為智能化電力半導(dǎo)體模塊,即ipm。 為了提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,以適應(yīng)電力電子技術(shù)向高頻化、小型化、模塊化方向發(fā)展。在ipm的基礎(chǔ)上,再增加一些逆變器的功能,使逆變電路(ic)的所有器件以芯片形式封裝在一個(gè)模塊中,便成為用戶專用電力模塊(aspm),這樣的模塊更有利于高頻化。
為了能使邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路ic與幾百伏、幾千伏的電力半導(dǎo)體器件相集成,以滿足電力事業(yè)的發(fā)展,人們采用混合封裝方法制造出能適應(yīng)于各種場(chǎng)合的集成電力電子模塊(ipem)。

 
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